BAW56,215 vs BAW56T116

Dieser detaillierte Vergleich von BAW56,215 und BAW56T116 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BAW56,215

NXP USA Inc.

Lifecycle
Active
Stock
7892 Stückzahl
Package
TO-236-3
Series
Dioden.Gleichrichter.Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

BAW56T116

Rohm Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
4252 Stückzahl
Package
TO-236-3
Series
Dioden.Gleichrichter.Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification BAW56,215 BAW56T116
Supplier Rochester Electronics, LLC Rohm Semiconductor
Part Status Active Obsolete
Diode Configuration 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Anode
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 90 V 70 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 215mA (DC) 215mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 80 V 1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction 150°C (Max) 150°C (Max)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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