BC847BVN115 vs BC847BLT3G

Dieser detaillierte Vergleich von BC847BVN115 und BC847BLT3G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BC847BLT3G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
1695 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
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Specification BC847BVN115 BC847BLT3G
Part Status Active Active
Transistor Type - NPN
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 200 @ 2mA, 5V
Power - Max - 300 mW
Frequency - Transition - 100MHz
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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