BC847BVN115 vs BC847BS

Dieser detaillierte Vergleich von BC847BVN115 und BC847BS bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

BC847BS

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
2430 Stückzahl
Package
SOT-363
Series
Transistoren, Bipolar (BJT-Arrays)
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Specification BC847BVN115 BC847BS
Part Status Active Obsolete
Transistor Type - 2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) - 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 200 @ 2mA, 5V
Power - Max - 210mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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