BC847ALT1G vs BC847BVN115 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von BC847BVN115 und BC847ALT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BC847BVN115

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6633 Stückzahl | Philips
BC847ALT1G

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4675 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-563 SOT-23-3
Beschreibung NOW NEXPERIA BC847BVN - SMALL SI TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Part Status Active Active
Transistor Type - NPN
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 110 @ 2mA, 5V
Power - Max - 300 mW
Frequency - Transition - 100MHz
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Vergleichsmodell : BC847BVN115 BC847ALT1G

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