BSS123LT1G vs BSS123

Dieser detaillierte Vergleich von BSS123LT1G und BSS123 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BSS123LT1G

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6441 Stückzahl | Onsemi
BSS123

+Stückliste

7795 Stückzahl | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Paket SOT23-3 SOT23
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 170mA (Ta) 200mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6Ohm @ 100mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.6V @ 1mA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 2.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 20 pF @ 25 V 14 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 225mW (Ta) 350mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : BSS123LT1G BSS123

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