BSS138LT1G vs BSS138K Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von BSS138K und BSS138LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BSS138K

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4504 Stückzahl | Fairchild Halbleiter
BSS138LT1G

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2952 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23 SOT-23-3
Beschreibung SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V 50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA (Ta) 200mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 2.5V 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.6Ohm @ 50mA, 5V 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.4 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±12V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 58 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 225mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : BSS138K BSS138LT1G

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