CSD17575Q3 vs CSD17310Q5A

Dieser detaillierte Vergleich von CSD17575Q3 und CSD17310Q5A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17575Q3

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
4164 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

CSD17310Q5A

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
5654 Stückzahl
Package
TDFN-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Specification CSD17575Q3 CSD17310Q5A
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 60A (Ta) 21A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.3mOhm @ 25A, 10V 5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4420 pF @ 15 V 1560 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 108W (Tc) 3.1W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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