FDG6316P vs FDG6318PZ
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6316P und FDG6318PZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
500mA
RdsOn(Max)@IdVgs
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780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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1.62nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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85.4pF @ 10V
Power-Max
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300mW
OperatingTemperature
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-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Series
PowerTrench®
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Part Status
Obsolete
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Base Product Number
FDG6316
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration
2 P-Channel (Dual)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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