FDG6316P vs FDG6332C-PG

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6316P und FDG6332C-PG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6316P

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4567 Stückzahl
Series
Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays
Part B

FDG6332C-PG

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3818 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Specification FDG6316P FDG6332C-PG
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - N and P-Channel Complementary
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs - 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 6V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -