FDG6316P vs FDG6332C-PG
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6316P und FDG6332C-PG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier
-
onsemi
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
N and P-Channel Complementary
FETFeature
-
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs
-
300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max
-
300mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDG6316
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 P-Channel (Dual)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
