FDG6316P vs FDG6320C
Dieser detaillierte Vergleich von FDG6316P und FDG6320C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TSSOP-6
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
N and P-Channel
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
220mA, 140mA
RdsOn(Max)@IdVgs
-
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
9.5pF @ 10V
Power-Max
-
300mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Series
PowerTrench®
-
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDG6316
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 P-Channel (Dual)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
