FDG6316P vs FDG6320C

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6316P und FDG6320C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6316P

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4567 Stückzahl
Series: Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays

+Stückliste Anfrage

Part B

FDG6320C

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 1672 Stückzahl
Package: TSSOP-6
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDG6316P	FDG6320C
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	-	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	220mA, 140mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	9.5pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	PowerTrench®	-
Base Product Number	FDG6316	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Configuration	2 P-Channel (Dual)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	700mA	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 700mA, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	146pF @ 6V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

Compare Anfrage