FDG6316P vs FDG6332C

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6316P und FDG6332C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6316P

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4567 Stückzahl
Series: Transistoren für FETs, MOSFETs für FET, MOSFET Arrays

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Part B

FDG6332C

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2173 Stückzahl
Package: TSSOP-6
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	FDG6316P	FDG6332C
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	-	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	700mA, 600mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	113pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	FDG6316	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Configuration	2 P-Channel (Dual)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	700mA	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 700mA, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	146pF @ 6V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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