FDG6320C vs FDG6318PZ

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6320C und FDG6318PZ bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

FDG6320C

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
1672 Stückzahl
Package
TSSOP-6
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDG6318PZ

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3452 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Specification FDG6320C FDG6318PZ
Supplier - onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA, 140mA 500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 1.62nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 85.4pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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