FDG6320C vs FDG6332C-PG

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6320C und FDG6332C-PG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6320C

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 1672 Stückzahl
Package: TSSOP-6
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

FDG6332C-PG

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3818 Stückzahl
Package: SC-88
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	FDG6320C	FDG6332C-PG
Supplier	-	onsemi
Series	-	PowerTrench®
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel Complementary
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	220mA, 140mA	700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs	4Ohm @ 220mA, 4.5V	300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V	1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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