FDG6322C vs FDG6321C

Dieser detaillierte Vergleich von FDG6321C und FDG6322C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDG6321C

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12407 Stückzahl | Onsemi
FDG6322C

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4629 Stückzahl | Onsemi
Paket 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Supplier onsemi onsemi
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 500mA, 410mA 220mA, 410mA
RdsOn(Max)@IdVgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power-Max 300mW 300mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDG6321C FDG6322C

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