FDMC86262P vs FDMC8327L
Dieser detaillierte Vergleich von FDMC86262P und FDMC8327L bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
PowerWDFN-8
PowerWDFN-8
Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2A (Ta), 8.4A (Tc)
12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
307mOhm @ 2A, 10V
9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
13 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
885 pF @ 75 V
1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
