FDS8949 vs FDS8928A
Dieser detaillierte Vergleich von FDS8949 und FDS8928A bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
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FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40V
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Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6A
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RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 6A, 10V
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Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
11nC @ 5V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
955pF @ 20V
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Power-Max
2W
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OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MountingType
Surface Mount
-
