FDS8949 vs FDS8958A
Dieser detaillierte Vergleich von FDS8958A und FDS8949 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N and P-Channel
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
40V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7A, 5A
6A
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 7A, 10V
29mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
16nC @ 10V
11nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
955pF @ 20V
Power-Max
900mW
2W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
