FDS8949 vs FDS8958

Dieser detaillierte Vergleich von FDS8949 und FDS8958 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS8949

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6681 Stückzahl | Fairchild Halbleiter
FDS8958

+Stückliste

8708 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A 7A, 5A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 5V 26nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 955pF @ 20V 789pF @ 10V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : FDS8949 FDS8958

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