FDS8949 vs FDS8962C

Dieser detaillierte Vergleich von FDS8949 und FDS8962C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS8949

Fairchild Halbleiter

Lifecycle
Active
Stock
6681 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage
Part B

FDS8962C

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3906 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification FDS8949 FDS8962C
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A 7A, 5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 6A, 10V 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 11nC @ 5V 26nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 955pF @ 20V 575pF @ 15V
Power - Max 2W 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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