FDS8958A vs FDS8960C
Dieser detaillierte Vergleich von FDS8958A und FDS8960C bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
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FETType
N and P-Channel
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
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Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7A, 5A
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RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 7A, 10V
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Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
16nC @ 10V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
575pF @ 15V
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Power-Max
900mW
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MountingType
Surface Mount
-
