FDS8958B vs FDS8984-F085

Dieser detaillierte Vergleich von FDS8958B und FDS8984-F085 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
FDS8958B

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2336 Stückzahl | Onsemi
FDS8984-F085

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2338 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
Series PowerTrench® -
FETType N and P-Channel -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.4A, 4.5A -
RdsOn(Max)@IdVgs 26mOhm @ 6.4A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12nC @ 10V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 540pF @ 15V -
Power-Max 900mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : FDS8958B FDS8984-F085

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