IRF5852TRPBF vs IRF5810TR
Dieser detaillierte Vergleich von IRF5852TRPBF und IRF5810TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Obsolete
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.7A
2.9A
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
1.25V @ 250µA
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
6nC @ 4.5V
9.6nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 15V
650pF @ 16V
Power-Max
960mW
960mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
