IRF7313TRPBF vs IRF7309QTRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7313TRPBF und IRF7309QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.5A
4A, 3A
RdsOn(Max)@IdVgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
33nC @ 10V
25nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
650pF @ 25V
520pF @ 15V
Power-Max
2W
1.4W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
