IRF7313TRPBF vs IRF7314QTRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7313TRPBF und IRF7314QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7313TRPBF

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4931 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7314QTRPBF

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2732 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A 5.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33nC @ 10V 29nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 25V 913pF @ 15V
Power-Max 2W 2.4W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vergleichsmodell : IRF7313TRPBF IRF7314QTRPBF

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