IRF7314TRPBF vs IRF7379QTRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7314TRPBF und IRF7379QTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.3A
5.8A, 4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs
58mOhm @ 2.9A, 4.5V
45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
700mV @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
29nC @ 4.5V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 15V
520pF @ 25V
Power-Max
2W
2.5W
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
