IRF7319TRPBF vs IRF7343TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7343TRPBF und IRF7319TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7343TRPBF

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3788 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7319TRPBF

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7642 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SO8 SO8
Beschreibung MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Standard Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A, 3.4A -
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7343TRPBF IRF7319TRPBF

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