IRF7343TRPBF vs IRF7328PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7343TRPBF und IRF7328PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7343TRPBF

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3788 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7328PBF

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5117 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SO8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A, 3.4A 8A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 78nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 2675pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7343TRPBF IRF7328PBF

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