IRF7341GTRPBF vs IRF7328PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341GTRPBF und IRF7328PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO8
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 5.1A
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.1A
8A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA (Min)
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
44nC @ 10V
78nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 25V
2675pF @ 25V
Power-Max
2.4W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
