IRF7341GTRPBF vs IRF7324TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341GTRPBF und IRF7324TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7341GTRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3946 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

IRF7324TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2046 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7341GTRPBF	IRF7324TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.1A	9A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 5.1A, 10V	18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	44nC @ 10V	63nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	780pF @ 25V	2940pF @ 15V
Power - Max	2.4W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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