IRF7341GTRPBF vs IRF7389
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341GTRPBF und IRF7389 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 5.1A
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA (Min)
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
44nC @ 10V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 25V
650pF @ 25V
Power-Max
2.4W
2.5W
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.1A
-
