IRF7341GTRPBF vs IRF7341TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341TRPBF und IRF7341GTRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SO-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET N-CH 55V 5.1A
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
5.1A
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
44nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
780pF @ 25V
Power-Max
2W
2.4W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
