IRF7324TRPBF vs IRF7341TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341TRPBF und IRF7324TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRF7341TRPBF

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4836 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRF7324TRPBF

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2046 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SO8 SO8
Beschreibung MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A 9A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 63nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 2940pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRF7341TRPBF IRF7324TRPBF

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