IRF7324TRPBF vs IRF7313TRPBF-1 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7324TRPBF und IRF7313TRPBF-1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
9A
6.5A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
63nC @ 5V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
2940pF @ 15V
650pF @ 25V
Power - Max
2W
2W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
