IRF7319TRPBF vs IRF7341TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341TRPBF und IRF7319TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO8
SO8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
650pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
