IRF7341TRPBF vs IRF7328PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7341TRPBF und IRF7328PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7341TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4836 Stückzahl
Package: SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Part B

IRF7328PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5117 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7341TRPBF	IRF7328PBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	4.7A	8A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 4.7A, 10V	21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	36nC @ 10V	78nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	740pF @ 25V	2675pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage