IRF7832TRPBF vs IRF7862TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7832TRPBF und IRF7862TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SO-8
SO-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
20A (Ta)
21A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.32V @ 250µA
2.35V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
45 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4310 pF @ 15 V
4090 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 155°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
