IRFB38N20DPBF vs IRFB3806PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB38N20DPBF und IRFB3806PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB38N20DPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6086 Stückzahl
Package: TO-220
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRFB3806PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5920 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRFB38N20DPBF	IRFB3806PBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	43A (Tc)	43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	54mOhm @ 26A, 10V	15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	5V @ 250µA	4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V	30 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2900 pF @ 25 V	1150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 300W (Tc)	71W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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