IRFP460 vs IRFP460APBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP460 und IRFP460APBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
6198 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP460APBF

Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
3680 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP460 IRFP460APBF
Series PowerMESH™ II -
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18.4A (Tc) 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 9A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2980 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 220W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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