IRLML0060TRPBF vs IRLML2402TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2402TRPBF und IRLML0060TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLML0060 - 20V-100V N-CHANNEL S
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
IRLML2402
-
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 930mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
±12V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
110 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
540mW (Ta)
1.25W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
2.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
92mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±16V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
290 pF @ 25 V
