IRLML2803TRPBF vs IRLML2030TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2030TRPBF und IRLML2803TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRLML2030TRPBF

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4830 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRLML2803TRPBF

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3918 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOT23 SOT23
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.7A (Ta) 1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 2.7A, 10V 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.3V @ 25µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1 nC @ 4.5 V 5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 110 pF @ 15 V 85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1.3W (Ta) 540mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRLML2030TRPBF IRLML2803TRPBF

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