IRLML2803TRPBF vs IRLML2060TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2803TRPBF und IRLML2060TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRLML2803TRPBF

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3918 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRLML2060TRPBF

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3852 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOT-23 SOT-23-3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.2A (Ta) 1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 250mOhm @ 910mA, 10V 480mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 2.5V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5 nC @ 10 V 0.67 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±16V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 85 pF @ 25 V 64 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 540mW (Ta) 1.25W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRLML2803TRPBF IRLML2060TRPBF

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