IRLML2803TRPBF vs IRLML9303TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML9303TRPBF und IRLML2803TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRLML9303TRPBF

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2455 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRLML2803TRPBF

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3918 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOT-23-3 SOT-23
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.3A (Ta) 1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 165mOhm @ 2.3A, 10V 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 10µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2 nC @ 4.5 V 5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 160 pF @ 25 V 85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1.25W (Ta) 540mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRLML9303TRPBF IRLML2803TRPBF

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