MMBFJ310LT1G vs MMBFJ175

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ310LT1G und MMBFJ175 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification MMBFJ310LT1G MMBFJ175
Supplier - onsemi,Flip Electronics
Part Status Active Obsolete
FET Type - P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 3 V @ 10 nA
Rds On - 125 Ohms
Power - Max - 225 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Transistor Type N-Channel JFET -
Gain 12dB -
Voltage - Test 10 V -
Current Rating (Amps) 60mA -
Current - Test 10 mA -
Voltage - Rated 25 V -
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