MMBFJ310LT1G vs MMBFJ175

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ310LT1G und MMBFJ175 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ310LT1G

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7096 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ175

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4879 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Beschreibung RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Supplier - onsemi,Flip Electronics
ProductStatus Active Obsolete
FETType - P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id - 3 V @ 10 nA
Resistance-RDS(On) - 125 Ohms
Power-Max - 225 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
TransistorType N-Channel JFET -
Gain 12dB -
Voltage-Test 10 V -
CurrentRating(Amps) 60mA -
Current-Test 10 mA -
Voltage-Rated 25 V -
Vergleichsmodell : MMBFJ310LT1G MMBFJ175

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