NTJD4401NT1G vs NTJD4105CT4G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von NTJD4401NT1G und NTJD4105CT4G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NTJD4401NT1G

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2877 Stückzahl | Onsemi
NTJD4105CT4G

+Stückliste

5881 Stückzahl | Onsemi
Paket SC-88 SC-88
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363 MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V, 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 630mA 630mA, 775mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 46pF @ 20V 46pF @ 20V
Power - Max 270mW 270mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NTJD4401NT1G NTJD4105CT4G

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