SI2301-TP vs SI2302CDS-T1-E3
Dieser detaillierte Vergleich von SI2302CDS-T1-E3 und SI2301-TP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT23-3
SOT23-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.6A (Ta)
2.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
850mV @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
PowerDissipation(Max)
710mW (Ta)
1.25W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
880 pF @ 6 V
