UCC27325DR vs UCC27200ADDAR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27325DR und UCC27200ADDAR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27325DR

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6133 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27200ADDAR

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5204 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 15V 8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2V 3V, 8V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 3A, 3A
Input Type Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 120 V
Rise / Fall Time(Typ) 20ns, 15ns 8ns, 7ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : UCC27325DR UCC27200ADDAR

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