UCC27424D vs UCC27211DR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27211DR und UCC27424D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27211DR

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2096 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27424D

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5668 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 4V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 1.3V, 2.7V 1V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Rise / Fall Time(Typ) 7.2ns, 5.5ns 20ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : UCC27211DR UCC27424D

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