UCC27425DR vs UCC27200DRG4 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27425DR und UCC27200DRG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27425DR

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5594 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27200DRG4

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2882 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Driven Configuration Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4V ~ 15V 8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2V 3V, 8V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 3A, 3A
Input Type Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 120 V
Rise / Fall Time(Typ) 20ns, 15ns 8ns, 7ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : UCC27425DR UCC27200DRG4

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