UCC27425DR vs UCC27201DR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27201DR und UCC27425DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27201DR

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2690 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27425DR

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5594 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 4V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 1V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns 20ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : UCC27201DR UCC27425DR

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