UCC27425DR vs UCC27523D Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27425DR und UCC27523D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27425DR

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5594 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27523D

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6383 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4V ~ 15V 4.5V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2V 1V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 5A, 5A
Input Type Inverting, Non-Inverting Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 20ns, 15ns 7ns, 6ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : UCC27425DR UCC27523D

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